报告题目：Native surfactant on modifying the electronic transport and conductivity of ZnO
地点：物理所会议室

时间：2015.4.17， 10点
Abstract
The native defect states on the ZnO surface play a key role on modifying the electronic transport and conductivity of the host system. The related surface states to our finding can mask the effect of the dopants or native point defects from the bulk system. As to this issue, we used non-linear core corrected norm-conserving pseudopotential for Zn with Hubbard U corrections on both Zn 3d states and O 2p states for stabilizing the hole states by repulsive Coulomb potential. With this work, the band structure calculations of ZnO bulk and surface system give results that close to experimental data. We further probed the native defect states on the Zn-terminated ZnO(0001) polar surface, and we find that the lowest energy defect is the O adatom (AO) on the topmost Zn-terminated layer under both O-poor and rich limit with very shallow donor behavior that buried into conduction band. The Zn adatom (AZn) is the second lowest energy defect under the O-poor (or Zn rich) chemical potential limit, that leads the surface system to have shallow acceptor transition level with about 0.4 eV higher than the valence band maximum (VBM). The effects of other native point defects on the ZnO(0001) surface system have been summarized and found the surface native point defects are the keys to generate intrisinc p-type conductivity of the ZnO(0001) such polar surface system. We proposed that it is the surface defect states or extrinsic dopants effect that overwhelm the intrinsic p-type conductivity and transport of the ZnO bulk system that lead us a long interest and difficulties to achieve. This work sheds a light on the new direction that solves the debate and issue of the influence of the surface states on the p-type of ZnO conductivity and transport.